信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
（ランキング更新日：2025年12月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6217567 | 半導体製造装置、半導体基板の製造方法及び搬送ロボット | 2017年10月25日 | |
| 特許 6213046 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2017年10月18日 | |
| 特許 6210043 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2017年10月11日 | |
| 特許 6210382 | エピタキシャル成長装置 | 2017年10月11日 | |
| 特許 6206173 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6206380 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6206388 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2017年10月 4日 | |
| 特許 6197617 | 切断治具及びワークの切断方法 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6197680 | シリコン単結晶製造装置 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6197752 | ウェーハの研磨方法 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6197799 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6200273 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2017年 9月20日 | |
| 特許 6195753 | 不活性ガスの回収前処理設備 | 2017年 9月13日 | |
| 特許 6191534 | ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 | 2017年 9月 6日 | |
| 特許 6191558 | シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法、シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法、及びシリコン基板のパッシベーション処理方法 | 2017年 9月 6日 |
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6217567 6213046 6210043 6210382 6206173 6206380 6206388 6197617 6197680 6197752 6197799 6200273 6195753 6191534 6191558
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