信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第341位 110件
（
2016年：第330位 110件）
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（
2016年：第265位 122件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6093741 | 研磨装置及びウェーハの研磨方法 | 2017年 3月 8日 | |
| 特許 6086031 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2017年 3月 1日 | |
| 特許 6086050 | ウエーハの評価方法 | 2017年 3月 1日 | |
| 特許 6086056 | 熱処理方法 | 2017年 3月 1日 | |
| 特許 6086059 | ウェーハの乾燥装置及びウェーハの乾燥方法 | 2017年 3月 1日 | |
| 特許 6086105 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 3月 1日 | |
| 特許 6083346 | ウェーハの研磨方法及びウェーハの研磨装置 | 2017年 2月22日 | |
| 特許 6083404 | 半導体基板の評価方法 | 2017年 2月22日 | |
| 特許 6083412 | 再結合ライフタイムの制御方法及びシリコン基板の製造方法 | 2017年 2月22日 | |
| 特許 6079497 | 半導体基板の評価方法及び半導体基板の評価装置 | 2017年 2月15日 | |
| 特許 6079554 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2017年 2月15日 | |
| 特許 6080101 | シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法 | 2017年 2月15日 | |
| 特許 6080753 | ワイヤソーの運転再開方法 | 2017年 2月15日 | |
| 特許 6075307 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2017年 2月 8日 | |
| 特許 6070487 | ＳＯＩウェーハの製造方法、ＳＯＩウェーハ、及び半導体デバイス | 2017年 2月 1日 |
117 件中 91-105 件を表示
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6093741 6086031 6086050 6086056 6086059 6086105 6083346 6083404 6083412 6079497 6079554 6080101 6080753 6075307 6070487
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