信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6112476 | フッ素樹脂の金属不純物除去方法 | 2017年 4月12日 | |
| 特許 6107308 | シリコン単結晶製造方法 | 2017年 4月 5日 | |
| 特許 6107709 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 4月 5日 | |
| 特許 6102631 | Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成のシミュレーション方法及び該シミュレーション方法をもとにしたシリコン単結晶製造方法 | 2017年 3月29日 | |
| 特許 6102823 | ＳＯＩ基板の評価方法 | 2017年 3月29日 | |
| 特許 6098891 | シリコン単結晶の炭素濃度測定方法 | 2017年 3月22日 | |
| 特許 6098997 | エピタキシャル成長装置の汚染評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年 3月22日 | |
| 特許 6099996 | オゾン水を用いた洗浄方法及び洗浄装置 | 2017年 3月22日 | |
| 特許 6100200 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 3月22日 | |
| 特許 6100226 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 | 2017年 3月22日 | |
| 特許 6094541 | ゲルマニウムウェーハの研磨方法 | 2017年 3月15日 | |
| 特許 6094898 | 汚染評価方法 | 2017年 3月15日 | |
| 特許 6090154 | スライス方法 | 2017年 3月 8日 | |
| 特許 6090183 | 気相成長装置の清掃又は点検方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年 3月 8日 | |
| 特許 6090184 | 半導体ウェーハの洗浄槽及び貼り合わせウェーハの製造方法 | 2017年 3月 8日 |
117 件中 76-90 件を表示
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6112476 6107308 6107709 6102631 6102823 6098891 6098997 6099996 6100200 6100226 6094541 6094898 6090154 6090183 6090184
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