信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
（ランキング更新日：2026年4月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6157421 | ワークの切断方法及びワーク保持治具 | 2017年 7月 5日 | |
| 特許 6152784 | 半導体結晶の製造方法 | 2017年 6月28日 | |
| 特許 6152829 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 6月28日 | |
| 特許 6153095 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年 6月28日 | |
| 特許 6149796 | エピタキシャル成長装置 | 2017年 6月21日 | |
| 特許 6150075 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年 6月21日 | |
| 特許 6146375 | 研磨パッドの洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | 2017年 6月14日 | |
| 特許 6146382 | 単結晶基板の抵抗率保証方法 | 2017年 6月14日 | |
| 特許 6141814 | 研磨装置 | 2017年 6月 7日 | |
| 特許 6143019 | ウェーハ載置用サセプタの製造方法及びウェーハ載置用サセプタ | 2017年 6月 7日 | |
| 特許 6135611 | 点欠陥濃度計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥計算方法、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥面内分布計算方法及びこれらを用いたシリコン単結晶製造方法 | 2017年 5月31日 | |
| 特許 6135818 | シリコン単結晶製造方法 | 2017年 5月31日 | |
| 特許 6136624 | 発光素子 | 2017年 5月31日 | |
| 特許 6136786 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2017年 5月31日 | |
| 特許 6131737 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2017年 5月24日 |
117 件中 46-60 件を表示
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6157421 6152784 6152829 6153095 6149796 6150075 6146375 6146382 6141814 6143019 6135611 6135818 6136624 6136786 6131737
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