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信越半導体株式会社

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  2017年 出願公開件数ランキング    第368位 116件 下降2016年:第339位 111件)

  2017年 特許取得件数ランキング    第265位 112件 変わらず2016年:第265位 122件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6132163 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 2017年 5月24日
特許 6130995 エピタキシャル基板及び半導体装置 2017年 5月17日
特許 6131179 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 2017年 5月17日
特許 6119565 単結晶製造方法 2017年 4月26日
特許 6119586 炭化珪素被覆黒鉛部材の製造方法、炭化珪素被覆黒鉛部材、及びシリコン結晶の製造方法 2017年 4月26日
特許 6119637 アニール基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 2017年 4月26日
特許 6119642 半導体単結晶の製造方法 2017年 4月26日
特許 6119680 半導体基板の欠陥領域の評価方法 2017年 4月26日
特許 6115445 エピタキシャル成長装置 2017年 4月19日
特許 6118239 害虫の防除方法及び防除装置 2017年 4月19日
特許 6118757 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 2017年 4月19日
特許 6118765 シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 2017年 4月19日
特許 6111614 シリコンウェーハの熱処理方法 2017年 4月12日
特許 6111678 GeOIウェーハの製造方法 2017年 4月12日
特許 6112474 ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 2017年 4月12日

117 件中 61-75 件を表示

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6132163 6130995 6131179 6119565 6119586 6119637 6119642 6119680 6115445 6118239 6118757 6118765 6111614 6111678 6112474

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