信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6132163 | 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年 5月24日 | |
| 特許 6130995 | エピタキシャル基板及び半導体装置 | 2017年 5月17日 | |
| 特許 6131179 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 5月17日 | |
| 特許 6119565 | 単結晶製造方法 | 2017年 4月26日 | |
| 特許 6119586 | 炭化珪素被覆黒鉛部材の製造方法、炭化珪素被覆黒鉛部材、及びシリコン結晶の製造方法 | 2017年 4月26日 | |
| 特許 6119637 | アニール基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 | 2017年 4月26日 | |
| 特許 6119642 | 半導体単結晶の製造方法 | 2017年 4月26日 | |
| 特許 6119680 | 半導体基板の欠陥領域の評価方法 | 2017年 4月26日 | |
| 特許 6115445 | エピタキシャル成長装置 | 2017年 4月19日 | |
| 特許 6118239 | 害虫の防除方法及び防除装置 | 2017年 4月19日 | |
| 特許 6118757 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 4月19日 | |
| 特許 6118765 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 | 2017年 4月19日 | |
| 特許 6111614 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2017年 4月12日 | |
| 特許 6111678 | ＧｅＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 4月12日 | |
| 特許 6112474 | ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年 4月12日 |
117 件中 61-75 件を表示
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6132163 6130995 6131179 6119565 6119586 6119637 6119642 6119680 6115445 6118239 6118757 6118765 6111614 6111678 6112474
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