信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2024年 出願公開件数ランキング 第540位 53件
（
2023年：第386位 87件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第410位 70件
（2023年：第364位 86件）
（ランキング更新日：2025年1月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2024-15884 | 接合型発光素子ウェーハの製造方法 | 2024年 2月 6日 | |
| 特開 2024-14599 | 高周波用ＳＯＩウエーハの製造方法 | 2024年 2月 1日 | |
| 特開 2024-7890 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2024年 1月19日 | |
| 特開 2024-4663 | シリコン単結晶基板の酸素濃度の上限値の決定方法 | 2024年 1月17日 | |
| 特開 2024-6444 | ヒートスプレッタ構造付き部材とその作製方法 | 2024年 1月17日 | |
| 特開 2024-3708 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 | 2024年 1月15日 | |
| 特開 2024-1711 | 受光素子の製造方法 | 2024年 1月10日 | |
| 特開 2024-1751 | 窒化物半導体ウェーハ、及びその製造方法 | 2024年 1月10日 |
53 件中 46-53 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2024-15884 2024-14599 2024-7890 2024-4663 2024-6444 2024-3708 2024-1711 2024-1751
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
1月9日(木) -
1月10日(金) -
1月11日(土) -
1月11日(土) -
1月9日(木) -
1月14日(火) - 東京 港区
1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
大阪府大阪市中央区南本町二丁目2番9号 辰野南本町ビル8階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒453-0012 愛知県名古屋市中村区井深町１番１号 新名古屋センタービル・本陣街２階 ２４３－１号室 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
愛知県名古屋市中区栄3-2-3 名古屋日興證券ビル4階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
