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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第540位 53件 (2023年:第386位 87件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第410位 70件 (2023年:第364位 86件)
(ランキング更新日:2025年1月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-126891 | ダイヤモンドの熱伝導率の評価法 | 2024年 9月20日 | |
特開 2024-119415 | エピタキシャル基板の評価方法 | 2024年 9月 3日 | |
特開 2024-118022 | 両面研磨方法、両面研磨装置用キャリア、及び両面研磨装置 | 2024年 8月30日 | |
特開 2024-118347 | ウェーハの製造方法 | 2024年 8月30日 | |
特開 2024-114516 | シリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2024年 8月23日 | |
特開 2024-112635 | 基板の微小欠陥の検出方法 | 2024年 8月21日 | |
特開 2024-102694 | 3C-SiC単結晶エピタキシャル基板の製造方法、3C-SiC自立基板の製造方法、及び3C-SiC単結晶エピタキシャル基板 | 2024年 7月31日 | |
特開 2024-94561 | エピタキシャル基板の製造方法及びエピタキシャル基板 | 2024年 7月10日 | |
特開 2024-82981 | ダイヤモンド成長方法及びダイヤモンド成長装置 | 2024年 6月20日 | |
特開 2024-81936 | 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体装置 | 2024年 6月19日 | |
特開 2024-77799 | マイクロLED素子 | 2024年 6月10日 | |
特開 2024-77924 | ヘテロエピタキシャル基板の製造方法 | 2024年 6月10日 | |
特開 2024-77071 | ヘテロエピタキシャル用単結晶シリコン基板、エピタキシャル基板、半導体装置、及び、ヘテロエピタキシャル用単結晶シリコン基板の製造方法。 | 2024年 6月 7日 | |
特開 2024-76252 | マイクロLED構造体及びその製造方法 | 2024年 6月 5日 | |
特開 2024-73933 | 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体装置 | 2024年 5月30日 |
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2024-126891 2024-119415 2024-118022 2024-118347 2024-114516 2024-112635 2024-102694 2024-94561 2024-82981 2024-81936 2024-77799 2024-77924 2024-77071 2024-76252 2024-73933
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1月11日(土) -
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1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
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1月16日(木) -
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1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
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