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信越半導体株式会社

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　■　2024年出願公開件数ランキング　　　第540位　53件（2023年：第386位　87件）

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2024-70722	高周波デバイス用基板およびその製造方法	2024年 5月23日
特開 2024-69871	半導体エピタキシャル基板の製造方法、半導体エピタキシャル基板、及び半導体装置	2024年 5月22日
特開 2024-70137	エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ	2024年 5月22日
特開 2024-61997	エピタキシャルウェーハの製造方法	2024年 5月 9日
特開 2024-60665	窒化物半導体エピタキシャルウエーハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウエーハ用複合基板	2024年 5月 7日
特開 2024-57491	接合型発光素子ウェーハの製造方法	2024年 4月24日
特開 2024-50132	マイクロＬＥＤ特性評価用ウェーハ及びマイクロＬＥＤ特性評価方法	2024年 4月10日
特開 2024-49153	エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2024年 4月 9日
特開 2024-42982	窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板及び窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板の製造方法	2024年 3月29日
特開 2024-35650	シリコン単結晶基板の酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコン単結晶基板の合否判定方法	2024年 3月14日
特開 2024-34416	シリコン基板の評価方法およびシリコン基板の製造工程の管理方法	2024年 3月13日
特開 2024-29700	窒化物半導体基板及びその製造方法	2024年 3月 6日
特開 2024-29034	接合型ウェーハの剥離方法	2024年 3月 5日
特開 2024-25217	マイクロＬＥＤ用接合型ウェーハの製造方法	2024年 2月26日
特開 2024-23112	量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法、量子コンピュータ用シリコン基板及び半導体装置	2024年 2月21日

53 件中 31-45 件を表示

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2024-70722 2024-69871 2024-70137 2024-61997 2024-60665 2024-57491 2024-50132 2024-49153 2024-42982 2024-35650 2024-34416 2024-29700 2024-29034 2024-25217 2024-23112

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