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クリー　インコーポレイテッド

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クリー　インコーポレイテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2024-522507	シリコンカーバイド結晶性材料のための光吸収の低減	2024年 6月21日
特表 2024-520394	湿気ロバスト性及び高加速寿命試験のための多層カプセル化及び製造方法	2024年 5月24日
特表 2024-519850	半導体表面改質を含むトランジスタ及び関連製造方法	2024年 5月21日
特表 2024-519853	バックバリア構造および埋め込みｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物トランジスタならびにその方法	2024年 5月21日
特表 2024-519856	埋め込みｐ層および制御されるゲート電圧を有する回路およびＩＩＩ族窒化物トランジスタならびにそれらの方法	2024年 5月21日
特表 2024-519864	改善した性能を有する高電子移動度トランジスタを製造する方法	2024年 5月21日
特表 2024-519878	修正アクセス領域を備える電界効果トランジスタ	2024年 5月21日
特表 2024-519369	ソース接続されたフィールド板を備えた電界効果トランジスタ	2024年 5月10日
特表 2024-519370	選択的なチャネル層のドーピングが施された電界効果トランジスタ	2024年 5月10日
特表 2024-517259	集積受動デバイス（ＩＰＤ）構成要素およびパッケージならびにこれらを実施する方法	2024年 4月19日
特表 2024-511552	信頼性及び導通が向上したトレンチ型パワー・デバイス	2024年 3月14日
特表 2024-510130	センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス	2024年 3月 6日
特表 2024-509687	均一なトランジスタ構成要素を有するモジュール式半導体デバイスパッケージ	2024年 3月 5日
特開 2024-26359	統合高調波終端を備えたドハティ増幅器回路	2024年 2月28日
特表 2024-508422	抵抗値のばらつきの少ないゲート抵抗器を有する半導体デバイス	2024年 2月27日

40 件中 16-30 件を表示

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2024-522507 2024-520394 2024-519850 2024-519853 2024-519856 2024-519864 2024-519878 2024-519369 2024-519370 2024-517259 2024-511552 2024-510130 2024-509687 2024-26359 2024-508422

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