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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第570位 57件
(2014年:第737位 41件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第272位 103件
(2014年:第212位 189件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5699491 | 固体撮像素子用半導体ウェーハの薄膜化制御方法 | 2015年 4月 8日 | |
特許 5691179 | ウェーハ研磨加工液中の金属除去方法および装置 | 2015年 4月 1日 | |
特許 5691363 | 半導体基板内部の重金属の除去方法 | 2015年 4月 1日 | |
特許 5691446 | 単結晶原料の溶融装置および溶融方法 | 2015年 4月 1日 | |
特許 5691504 | シリコン単結晶育成方法 | 2015年 4月 1日 | |
特許 5691796 | 研磨装置、および、研磨方法 | 2015年 4月 1日 | |
特許 5692996 | 石英ルツボ製造用モールド | 2015年 4月 1日 | |
特許 5682186 | 環境雰囲気の不純物汚染評価方法 | 2015年 3月11日 | |
特許 5682553 | シリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置 | 2015年 3月11日 | |
特許 5682821 | シード軸とシードホルダとの連結構造及び単結晶インゴットの製造方法 | 2015年 3月11日 | |
特許 5682858 | シリコンウェーハの評価方法および製造方法 | 2015年 3月11日 | |
特許 5684449 | 半導体ウェーハの比抵抗値測定方法 | 2015年 3月11日 | |
特許 5678635 | シリコン単結晶の製造装置、シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 3月 4日 | |
特許 5680846 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年 3月 4日 | |
特許 5671793 | 仕上研磨を施したシリコンウェーハの洗浄方法 | 2015年 2月18日 |
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5699491 5691179 5691363 5691446 5691504 5691796 5692996 5682186 5682553 5682821 5682858 5684449 5678635 5680846 5671793
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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2月27日(木) - 東京 港区
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