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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第570位 57件
(2014年:第737位 41件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第272位 103件
(2014年:第212位 189件)
(ランキング更新日:2025年2月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5672021 | 半導体基板の製造方法 | 2015年 2月18日 | |
特許 5673811 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2015年 2月18日 | |
特許 5668275 | SOIウェーハの製造方法及び貼り合わせ装置 | 2015年 2月12日 | |
特許 5668764 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 2月12日 | |
特許 5668786 | シリコン単結晶の育成方法及びシリコンウェーハの製造方法 | 2015年 2月12日 | |
特許 5659632 | ボロンドープp型シリコンウェーハの鉄濃度分析方法および分析装置、シリコンウェーハ、ならびにシリコンウェーハの製造方法 | 2015年 1月28日 | |
特許 5660237 | シリコンウェーハの製造方法 | 2015年 1月28日 | |
特許 5655319 | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法 | 2015年 1月21日 | |
特許 5656132 | シリコンウェーハの研磨方法 | 2015年 1月21日 | |
特許 5656263 | シリカガラスルツボ | 2015年 1月21日 | |
特許 5656264 | 単結晶シリコンの生産方法 | 2015年 1月21日 | |
特許 5657219 | 単結晶シリコンインゴットの成長方法および成長用装置 | 2015年 1月21日 | |
特許 5657515 | シリカガラスルツボの三次元形状測定方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 1月21日 | |
特許 5652232 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年 1月14日 |
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5672021 5673811 5668275 5668764 5668786 5659632 5660237 5655319 5656132 5656263 5656264 5657219 5657515 5652232
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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