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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第570位 57件
(2014年:第737位 41件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第272位 103件
(2014年:第212位 189件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5749152 | シリカガラスルツボの表面粗さの三次元形状測定方法 | 2015年 7月15日 | |
特許 5738549 | 包装済石英ガラスルツボ用クレーン装置およびこの装置を用いる包装済石英ガラスルツボの梱包方法 | 2015年 6月24日 | |
特許 5739797 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 6月24日 | |
特許 5732858 | 基板厚み測定装置及び基板厚み測定方法 | 2015年 6月10日 | |
特許 5733030 | ボロンドープp型シリコンの電気的特性の評価方法、およびシリコンウェーハの製造方法 | 2015年 6月10日 | |
特許 5728902 | SOIウェーハの製造方法並びにウェーハ貼り合わせシステム | 2015年 6月 3日 | |
特許 5729135 | サファイアシードおよびその製造方法、ならびにサファイア単結晶の製造方法 | 2015年 6月 3日 | |
特許 5724226 | シリコン単結晶の育成方法 | 2015年 5月27日 | |
特許 5724614 | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 | 2015年 5月27日 | |
特許 5724718 | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 | 2015年 5月27日 | |
特許 5720297 | シリコンウェーハの金属汚染分析方法 | 2015年 5月20日 | |
特許 5720426 | 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 | 2015年 5月20日 | |
特許 5712782 | エピタキシャルウェーハ成長装置用サセプタサポートシャフトおよびエピタキシャル成長装置 | 2015年 5月 7日 | |
特許 5713903 | シリカガラスルツボの製造装置及びシリカガラスルツボの製造方法 | 2015年 5月 7日 | |
特許 5714476 | シリカガラスルツボの製造方法 | 2015年 5月 7日 |
104 件中 46-60 件を表示
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5749152 5738549 5739797 5732858 5733030 5728902 5729135 5724226 5724614 5724718 5720297 5720426 5712782 5713903 5714476
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10月15日(水) -
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10月16日(木) - 大阪 大阪市
10月16日(木) -
10月16日(木) -
10月16日(木) - 東京 新宿区
10月16日(木) -
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10月17日(金) - 神奈川 川崎市
10月17日(金) -
10月15日(水) - 東京 港区
10月20日(月) -
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10月21日(火) - 東京 港区
10月21日(火) - 東京 港区
10月21日(火) -
10月21日(火) - 大阪 大阪市
10月21日(火) -
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ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ~秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約~
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10月23日(木) - 東京 港区
10月23日(木) -
10月24日(金) -
10月24日(金) -
10月24日(金) -
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