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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件 (2023年:第372位 84件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7487659 | SOIウェーハの製造方法 | 2024年 5月21日 | |
特許 7480699 | 多結晶ダイヤモンド自立基板を用いた積層基板及びその製造方法 | 2024年 5月10日 | |
特許 7471575 | 試料導入装置、誘導結合プラズマ分析装置および分析方法 | 2024年 4月22日 | |
特許 7471576 | 試料導入装置、誘導結合プラズマ分析装置および分析方法 | 2024年 4月22日 | |
特許 7468339 | 単結晶引上げ装置の部品の清掃時に用いる集塵装置及び単結晶引上げ装置の部品の清掃方法 | 2024年 4月16日 | |
特許 7463982 | ウェーハ収納容器の洗浄装置及びウェーハ収納容器の洗浄方法 | 2024年 4月 9日 | |
特許 7464026 | ボルト締結構造及びこれを用いたシリコン単結晶引上げ装置 | 2024年 4月 9日 | |
特許 7464088 | 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 | 2024年 4月 9日 | |
特許 7452403 | ウェーハの研磨方法およびウェーハの製造方法 | 2024年 3月19日 | |
特許 7452505 | 無欠陥単結晶シリコンの製造方法及び装置 | 2024年 3月19日 | |
特許 7447784 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 | 2024年 3月12日 | |
特許 7447786 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2024年 3月12日 | |
特許 7444050 | 両面研磨用キャリア及びウェーハの研磨方法 | 2024年 3月 6日 | |
特許 7441469 | 外観検査装置 | 2024年 3月 1日 | |
特許 7439723 | シリコン単結晶の育成方法 | 2024年 2月28日 |
75 件中 46-60 件を表示
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7487659 7480699 7471575 7471576 7468339 7463982 7464026 7464088 7452403 7452505 7447784 7447786 7444050 7441469 7439723
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1月15日(水) -
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1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月18日(土) -
1月14日(火) - 東京 港区
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