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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件 (2023年:第372位 84件)
(ランキング更新日:2025年1月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7537356 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2024年 8月21日 | |
特許 7533205 | シリコン単結晶製造装置の加熱部、シリコン融液の対流パターン制御方法、シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶製造装置及びシリコン融液の対流パターン制御システム | 2024年 8月14日 | |
特許 7534267 | 低抵抗率ウェーハ及びその製造方法 | 2024年 8月14日 | |
特許 7528881 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2024年 8月 6日 | |
特許 7529000 | 積層ウェーハの製造方法 | 2024年 8月 6日 | |
特許 7524826 | 熱処理炉の前処理方法、熱処理炉及びウェーハの製造方法 | 2024年 7月30日 | |
特許 7525023 | 酸化膜の形成条件決定方法、酸化膜の形成方法、および、ウェーハの製造方法 | 2024年 7月30日 | |
特許 7521494 | 枚葉式エピタキシャル成長装置の制御装置及び制御方法、並びにエピタキシャルウェーハの製造システム | 2024年 7月24日 | |
特許 7517530 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2024年 7月17日 | |
特許 7513071 | シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法 | 2024年 7月 9日 | |
特許 7510139 | Ge単結晶膜の製造方法 | 2024年 7月 3日 | |
特許 7509117 | 監視方法、監視プログラム、監視装置、ウェーハの製造方法、及びウェーハ | 2024年 7月 2日 | |
特許 7501438 | SOIウェーハの製造方法 | 2024年 6月18日 | |
特許 7501476 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2024年 6月18日 | |
特許 7487655 | シリコンウェーハの抵抗率測定方法 | 2024年 5月21日 |
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7537356 7533205 7534267 7528881 7529000 7524826 7525023 7521494 7517530 7513071 7510139 7509117 7501438 7501476 7487655
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