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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第435位 71件 (2023年:第512位 61件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第402位 73件 (2023年:第372位 84件)
(ランキング更新日:2025年1月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7439739 | エピタキシャル成長装置の温度管理方法及びシリコン堆積層ウェーハの製造方法 | 2024年 2月28日 | |
特許 7435113 | ワークの両面研磨装置 | 2024年 2月21日 | |
特許 7435436 | キャリアプレートの研磨方法 | 2024年 2月21日 | |
特許 7435752 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2024年 2月21日 | |
特許 7427921 | 半導体インゴットのスライシング加工条件決定方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2024年 2月 6日 | |
特許 7428122 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 | 2024年 2月 6日 | |
特許 7425411 | キャリア測定装置、キャリア測定方法、及びキャリア管理方法 | 2024年 1月31日 | |
特許 7424274 | 貼り合わせウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法 | 2024年 1月30日 | |
特許 7424282 | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 | 2024年 1月30日 | |
特許 7420046 | シリコン単結晶の製造方法 | 2024年 1月23日 | |
特許 7420248 | シリコンウェーハの評価方法、評価システム及び製造方法 | 2024年 1月23日 | |
特許 7415889 | X線センサ向けエピタキシャルウェーハおよびX線センサ | 2024年 1月17日 | |
特許 7416270 | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 | 2024年 1月17日 | |
特許 7413992 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2024年 1月16日 | |
特許 7408057 | シリカガラスルツボ | 2024年 1月 5日 |
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7439739 7435113 7435436 7435752 7427921 7428122 7425411 7424274 7424282 7420046 7420248 7415889 7416270 7413992 7408057
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1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月18日(土) -
1月14日(火) - 東京 港区
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