株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第673位 35件
（
2024年：第435位 71件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第357位 68件
（
2024年：第402位 73件）
（ランキング更新日：2025年11月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7632254 | ウェーハ端面部の評価方法 | 2025年 2月19日 | |
| 特許 7632256 | 両面研磨装置 | 2025年 2月19日 | |
| 特許 7632261 | シリコンウェーハ及びその製造方法 | 2025年 2月19日 | |
| 特許 7626052 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2025年 2月 4日 | |
| 特許 7626145 | シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 | 2025年 2月 4日 | |
| 特許 7626518 | 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法、および貼り合わせウェーハ用の支持基板 | 2025年 2月 4日 | |
| 特許 7616004 | エピタキシャル成長装置の基板載置位置の偏心量を評価する方法及び当該評価方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7616020 | 監視方法、監視プログラム、監視装置、ウェーハの製造方法、及びウェーハ | 2025年 1月17日 | |
| 特許 7613413 | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 | 2025年 1月15日 | |
| 特許 7613481 | シリコン単結晶の育成方法 | 2025年 1月15日 |
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7632254 7632256 7632261 7626052 7626145 7626518 7616004 7616020 7613413 7613481
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