信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
（ランキング更新日：2025年5月23日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6070528 | 石英ルツボの改質方法及びシリコン単結晶の製造方法 | 2017年 2月 1日 | |
| 特許 6070626 | シリコン単結晶の育成方法 | 2017年 2月 1日 | |
| 特許 6064307 | 常圧気相成長装置又は常圧気相成長装置の配管 | 2017年 1月25日 | |
| 特許 6064675 | 半導体単結晶棒の製造方法 | 2017年 1月25日 | |
| 特許 6065279 | 半導体デバイスの製造方法 | 2017年 1月25日 | |
| 特許 6065802 | 研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | 2017年 1月25日 | |
| 特許 6066338 | 誘導結合プラズマ質量分析方法 | 2017年 1月25日 | |
| 特許 6056318 | ＳＯＩウェーハの研磨方法 | 2017年 1月11日 | |
| 特許 6056516 | ＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハ | 2017年 1月11日 | |
| 特許 6056749 | エピタキシャル成長前後の半導体ウェーハのエッジ形状の評価方法 | 2017年 1月11日 | |
| 特許 6056793 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法 | 2017年 1月11日 | |
| 特許 6056806 | 半導体基板の評価方法 | 2017年 1月11日 |
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6070528 6070626 6064307 6064675 6065279 6065802 6066338 6056318 6056516 6056749 6056793 6056806
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