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トーキョー　エレクトロン　ユーエス　ホールディングス，インコーポレーテッド

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トーキョー　エレクトロン　ユーエス　ホールディングス，インコーポレーテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2024-519492	ウェット－ドライ二層レジスト	2024年 5月14日
特表 2024-519085	炭素含有材料の周期的プラズマエッチング	2024年 5月 8日
特表 2024-518690	ゲート保護用の犠牲キャップ層	2024年 5月 2日
特表 2024-518430	プラズマ処理性能を制御するようにリアルタイムパルス測定とパルスタイミング調整を行うためのシステム及び方法	2024年 5月 1日
特表 2024-517612	直接描画応力膜を用いたウェーハの反り修正方法	2024年 4月23日
特表 2024-517139	ゲート保護用の犠牲ゲートキャッピング層	2024年 4月19日
特表 2024-515667	ＦｉｎＦＥＴ構造を形成する方法	2024年 4月10日
特表 2024-514812	接合後ウェーハ歪みを低減するためのウェーハ接合装置及び方法	2024年 4月 3日
特表 2024-514409	プラズマ処理のための高速中性粒子発生	2024年 4月 2日
特表 2024-513173	アルミニウムアルコキシド酸化剤を用いた半導体デバイスのための酸化アルミニウム膜の原子層堆積	2024年 3月22日
特表 2024-511023	半導体デバイス内の凹状特徴部を低抵抗率金属で充填する方法	2024年 3月12日
特表 2024-509558	金属酸化物の原子層エッチング	2024年 3月 4日
特表 2024-507878	コーティングトラックへのセンサ技術の統合	2024年 2月21日
特表 2024-506838	周期的プラズマエッチングプロセス	2024年 2月15日
特表 2024-506950	ハイブリッド湿式原子層エッチングプロセスを使用して基板をエッチングするための方法	2024年 2月15日

53 件中 31-45 件を表示

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2024-519492 2024-519085 2024-518690 2024-518430 2024-517612 2024-517139 2024-515667 2024-514812 2024-514409 2024-513173 2024-511023 2024-509558 2024-507878 2024-506838 2024-506950

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