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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第928位 26件 (2023年:第865位 31件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第834位 28件 (2023年:第1078位 20件)
(ランキング更新日:2025年1月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-51091 | 弾性波デバイス用の変換器構造体 | 2024年 4月10日 | |
特表 2024-512195 | 2ポート弾性波センサデバイス | 2024年 3月19日 | |
特表 2024-512199 | エピタキシープロセスの温度条件を調節するための設定方法 | 2024年 3月19日 | |
特表 2024-510706 | 半導体オンインシュレータ基板を備えるNCFETトランジスタ | 2024年 3月11日 | |
特表 2024-510756 | キャリア基板上に単結晶半導体で作られた薄層を含む複合構造体を製造するための方法 | 2024年 3月11日 | |
特表 2024-509678 | 炭化ケイ素ベースの半導体構造体及び中間複合構造体を製造する方法 | 2024年 3月 5日 | |
特表 2024-509679 | 炭化ケイ素ベースの半導体構造体及び中間複合構造体を製造する方法 | 2024年 3月 5日 | |
特表 2024-509614 | ヘテロ構造から層を転写するための方法 | 2024年 3月 4日 | |
特表 2024-507713 | 表面弾性波センサデバイス | 2024年 2月21日 | |
特表 2024-506797 | 剥離によって層が除去されたドナー基板の残留物を調製するための方法 | 2024年 2月15日 | |
特開 2024-1367 | SAWフィルタデバイスにおける発生源抑制のための変換器構造 | 2024年 1月 9日 |
26 件中 16-26 件を表示
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2024-51091 2024-512195 2024-512199 2024-510706 2024-510756 2024-509678 2024-509679 2024-509614 2024-507713 2024-506797 2024-1367
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