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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第83位 585件
(2016年:第61位 616件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第66位 431件
(2016年:第49位 561件)
(ランキング更新日:2025年9月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6182476 | 気泡除去装置、気泡除去方法および接合システム | 2017年 8月16日 | |
特許 6177601 | クリーニング方法及び基板処理装置 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6177664 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6177670 | めっきの前処理方法、無電解めっき方法および記憶媒体 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6177723 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | 2017年 8月 9日 | |
特許 6177739 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6177958 | パターン形成方法、パターン形成装置、及びコンピュータ可読記憶媒体 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6178140 | マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波供給方法 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6178298 | 液処理装置及び液処理方法 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6172660 | 成膜装置、及び、低誘電率膜を形成する方法 | 2017年 8月 2日 | |
特許 6173936 | 載置台及びプラズマ処理装置 | 2017年 8月 2日 | |
特許 6174943 | 凹部を充填する方法 | 2017年 8月 2日 | |
特許 6175455 | レジストパターン形成方法 | 2017年 8月 2日 | |
特許 6175541 | シード層の形成方法、シリコン膜の成膜方法および成膜装置 | 2017年 8月 2日 | |
特許 6175570 | ガスパルスを用いる深掘りシリコンエッチングのための方法 | 2017年 8月 2日 |
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6182476 6177601 6177664 6177670 6177723 6177739 6177958 6178140 6178298 6172660 6173936 6174943 6175455 6175541 6175570
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