信越半導体株式会社
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第540位 53件
（
2023年：第386位 87件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第410位 70件
（2023年：第364位 86件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7428149 | 単結晶製造装置 | 2024年 2月 6日 | |
| 特許 7420060 | 単結晶製造装置 | 2024年 1月23日 | |
| 特許 7420108 | 窒化物半導体ウェーハの製造方法 | 2024年 1月23日 | |
| 特許 7415827 | シリコンエピタキシャルウエーハ及びその製造方法 | 2024年 1月17日 | |
| 特許 7415888 | 研磨パッド、両面研磨装置及びウェーハの両面研磨方法 | 2024年 1月17日 | |
| 特許 7416171 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2024年 1月17日 | |
| 特許 7413941 | 接合型半導体素子及び接合型半導体素子の製造方法 | 2024年 1月16日 | |
| 特許 7413982 | 環境大気中の金属不純物の捕集方法、環境大気中の金属不純物の評価方法、及び金属不純物の捕集装置 | 2024年 1月16日 | |
| 特許 7409806 | シリコン基板表面の不純物分析方法 | 2024年 1月 9日 | |
| 特許 7408881 | 接合型ウェーハの剥離方法 | 2024年 1月 5日 |
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7428149 7420060 7420108 7415827 7415888 7416171 7413941 7413982 7409806 7408881
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