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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7480745	ウェーハ形状測定器の評価方法	2024年 5月10日
特許 7463911	シリコン単結晶基板の製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2024年 4月 9日
特許 7463934	Ｎ型シリコン単結晶ウェーハの製造方法	2024年 4月 9日
特許 7464001	シリコンウエーハの強度の評価方法	2024年 4月 9日
特許 7460010	シリコン単結晶製造装置	2024年 4月 2日
特許 7457486	エピタキシャルウェーハの製造方法	2024年 3月28日
特許 7456416	環境雰囲気中のアルカリイオン濃度の評価方法	2024年 3月27日
特許 7452314	ＦＺ用シリコン原料結晶の製造方法及びＦＺ用シリコン原料結晶の製造システム	2024年 3月19日
特許 7452459	エピタキシャルウェーハの欠陥パターン検出システムおよび検出方法	2024年 3月19日
特許 7447828	ワークの切断方法	2024年 3月12日
特許 7439788	ウェーハの洗浄方法	2024年 2月28日
特許 7439900	単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法	2024年 2月28日
特許 7435516	エピタキシャルウェーハの製造方法	2024年 2月21日
特許 7435634	両面研磨装置、半導体シリコンウェーハの両面研磨方法及び両面研磨シリコンウェーハの製造方法	2024年 2月21日
特許 7432119	シリコン基板上へのダイヤモンド成長方法、及びシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法	2024年 2月16日

70 件中 46-60 件を表示

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7480745 7463911 7463934 7464001 7460010 7457486 7456416 7452314 7452459 7447828 7439788 7439900 7435516 7435634 7432119

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