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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7521493	半導体基板の熱酸化膜形成方法及び半導体装置の製造方法	2024年 7月24日
特許 7509092	ドレッシングプレート及びドレッシング方法	2024年 7月 2日
特許 7501340	単結晶製造装置	2024年 6月18日
特許 7501392	シリコン単結晶のＤＬＴＳ評価方法	2024年 6月18日
特許 7501766	エピタキシャル基板上への塗布膜形成方法及び接合型ウェーハの製造方法	2024年 6月18日
特許 7497614	両面研磨装置の研磨パッド貼り付け方法	2024年 6月11日
特許 7494768	炭化珪素単結晶ウェーハの結晶欠陥評価方法	2024年 6月 4日
特許 7494799	両面研磨方法	2024年 6月 4日
特許 7487702	単結晶ダイヤモンド基板の製造方法	2024年 5月21日
特許 7487726	窒化物半導体基板及びその製造方法	2024年 5月21日
特許 7487407	エピタキシャルウェーハの製造方法	2024年 5月20日
特許 7484773	紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハの製造方法、紫外線発光素子用基板の製造方法及び紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ	2024年 5月16日
特許 7484808	半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法	2024年 5月16日
特許 7484825	洗浄工程及び乾燥工程の評価方法	2024年 5月16日
特許 7480738	シリコンウェーハの洗浄方法及び自然酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法	2024年 5月10日

70 件中 31-45 件を表示

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7521493 7509092 7501340 7501392 7501766 7497614 7494768 7494799 7487702 7487726 7487407 7484773 7484808 7484825 7480738

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