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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第178位 197件 (2023年:第146位 259件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第216位 154件 (2023年:第292位 112件)
(ランキング更新日:2025年1月9日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2024-534326 | 半導体処理の間のプロセスガスランプ | 2024年 9月20日 | |
特開 2024-125357 | 径方向エッチング均一性の能動制御 | 2024年 9月18日 | |
特表 2024-533108 | 三塩化ホウ素を使用した原子層エッチング | 2024年 9月12日 | |
特表 2024-533155 | 複合セラミック体のための接合技術 | 2024年 9月12日 | |
特表 2024-533354 | 帯電誘起欠陥を低減するためのサイクリングレシピにおける多状態RFパルシング | 2024年 9月12日 | |
特開 2024-123194 | エッチングリアクタ用のターボ分子ポンプおよびカソードアセンブリ | 2024年 9月10日 | |
特表 2024-532665 | 金属含有レジストの乾式現像性能を改善する多段階露光後処理 | 2024年 9月10日 | |
特表 2024-532773 | 対称的なRF戻り経路を提供するプロセスモジュールチャンバ | 2024年 9月10日 | |
特表 2024-532887 | プラズマ処理用電極誘電体ノズル | 2024年 9月10日 | |
特表 2024-532909 | 炭素含有層をエッチングする方法および装置 | 2024年 9月10日 | |
特表 2024-532107 | 半導体ウエハのエッジ領域の放射加熱のための装置 | 2024年 9月 5日 | |
特表 2024-531240 | 半導体製造ツールにおいて用いるためのクロック制御可能基板処理台座 | 2024年 8月29日 | |
特表 2024-531242 | 加工済セラミックチャンバパーツ | 2024年 8月29日 | |
特表 2024-530605 | 金属含有フォトレジストのリワーク | 2024年 8月23日 | |
特開 2024-112809 | 基板処理システムのための温度調節された基板支持体 | 2024年 8月21日 |
197 件中 76-90 件を表示
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2024-534326 2024-125357 2024-533108 2024-533155 2024-533354 2024-123194 2024-532665 2024-532773 2024-532887 2024-532909 2024-532107 2024-531240 2024-531242 2024-530605 2024-112809
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1月9日(木) -
1月10日(金) -
1月11日(土) -
1月11日(土) -
1月9日(木) -
1月14日(火) - 東京 港区
1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月18日(土) -
1月14日(火) - 東京 港区
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