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株式会社SUMCO

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  2024年 出願公開件数ランキング    第444位 64件 上昇2023年:第512位 61件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第405位 66件 下降2023年:第372位 84件)

(ランキング更新日:2024年11月29日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2024-90550 半導体製造装置、半導体製造工場及び半導体製造方法 2024年 7月 4日
特開 2024-90666 モニターウェーハの製造方法、および、モニターウェーハを用いる気相成長装置の異常判定方法 2024年 7月 4日
特開 2024-91136 ウェーハ分離装置及び方法並びにシリコンウェーハの製造方法 2024年 7月 4日
特開 2024-88179 研磨ヘッド、研磨装置及び半導体ウェーハの製造方法 2024年 7月 2日
特開 2024-88539 SOIウェーハの片面研磨方法 2024年 7月 2日
特開 2024-85819 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 2024年 6月27日
特開 2024-83927 推定方法、推定装置および推定プログラム 2024年 6月24日
特開 2024-83928 BMD密度推定方法、BMD密度推定装置およびBMD密度推定プログラム 2024年 6月24日
特開 2024-81376 単結晶の製造方法及び装置 2024年 6月18日
特開 2024-80027 結晶欠陥要素の面内分布の予測方法及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 2024年 6月13日
特開 2024-78264 引上装置の制御方法、制御プログラム、制御装置、単結晶シリコンインゴットの製造方法、及び単結晶シリコンインゴット 2024年 6月10日
特開 2024-77404 ワークの片面研磨装置、ワークの片面研磨方法、シリコンウェーハの製造方法 2024年 6月 7日
特開 2024-75295 レーザーマーク付きシリコンウェーハ及びその製造方法 2024年 6月 3日
特開 2024-74031 シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法 2024年 5月30日
特開 2024-73310 単結晶引上げ装置のルツボ又はヒーターに用いる集塵冷却装置及び集塵冷却方法 2024年 5月29日

65 件中 16-30 件を表示

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2024-90550 2024-90666 2024-91136 2024-88179 2024-88539 2024-85819 2024-83927 2024-83928 2024-81376 2024-80027 2024-78264 2024-77404 2024-75295 2024-74031 2024-73310

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