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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第41位 605件
(2023年:第32位 708件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第47位 555件
(2023年:第80位 398件)
(ランキング更新日:2025年9月1日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-170437 | イオン注入システム及び新規な加速器段構成を有する線形加速器 | 2024年12月10日 | |
特表 2024-545641 | 改良型ピラニ真空計アーキテクチャを使用してラジカルイオンフラックスを測定するための方法 | 2024年12月10日 | |
特表 2024-545643 | 環状運動が強化されたイオン源 | 2024年12月10日 | |
特表 2024-544815 | 製造システムにおけるマルチレベルRFパルス監視およびRFパルス化パラメータ最適化 | 2024年12月 5日 | |
特表 2024-544816 | 半導体製造のための環境効率監視・探査プラットフォーム | 2024年12月 5日 | |
特表 2024-545071 | プラズマ処理中に複数の波形信号を供給するための装置及び方法 | 2024年12月 5日 | |
特表 2024-545077 | イオン注入用の静電クランププラテンを有する回転ディスク | 2024年12月 5日 | |
特表 2024-545160 | テクスチャのある誘電体を使用したウエハからベースプレートへのアーク放電の防止 | 2024年12月 5日 | |
特開 2024-167175 | エネルギー拡散イオンビームのための装置、システム、及び方法 | 2024年12月 3日 | |
特開 2024-167188 | 半導体処理システム用の分配構成要素 | 2024年12月 3日 | |
特表 2024-544467 | エピタキシャル堆積リアクタのための動的で局部化された温度制御 | 2024年12月 3日 | |
特表 2024-544596 | ベーキング後に基板を冷却するチャンバおよび方法 | 2024年12月 3日 | |
特表 2024-544219 | モデルトレーニングに使用可能な走査ラジカルセンサ | 2024年11月28日 | |
特開 2024-163993 | プラズマ処理用途のためのパルス電圧源 | 2024年11月26日 | |
特開 2024-164008 | 製造プロセス性能を向上させるための統合された基板測定システム | 2024年11月26日 |
606 件中 16-30 件を表示
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2024-170437 2024-545641 2024-545643 2024-544815 2024-544816 2024-545071 2024-545077 2024-545160 2024-167175 2024-167188 2024-544467 2024-544596 2024-544219 2024-163993 2024-164008
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9月4日(木) - 大阪 大阪市
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9月12日(金) -
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